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Affichage 21 articles: SI4948BEY à SKN130-12 (Page 335 sur 485)

Transistor SI4948BEY
SI4948BEY
4.03€ TTC
264 En stock
264 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P 60V 2.4A. Puissance: 1.4W. Référence d'origine constructeur: SI4948BEY-T1-E3. Boîtier: SO8. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C. Résistance Rds: 0.1 Ohms.

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit régulateur de tension positive SI8050S
SI8050S
22.12€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit régulateur de tension positive SI8050S. Tension de sortie: 5V. Courant de sortie maxi: 3A. Commutable. Boîtier: TO-220-5F (Isolé).

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré SI9120DJ
SI9120DJ
12.49€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré SI9120DJ. UNI. INPUT SW.CONTROLLER. Boîtier: 16p. Constructeur: Siliconix.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré SI9241AEY
SI9241AEY
8.96€ TTC
9 En stock
9 En stock

Circuit intégré SI9241AEY. SINGLE-ENDED BUS TRANSCEIVER. Boîtier: SO8. 200k Baud. Constructeur: VISHAY. 2000V ESD

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré SI9243AEY
SI9243AEY
8.12€ TTC
476 En stock
476 En stock

Circuit intégré SI9243AEY. SINGLE-ENDED BUS TRANSCEIVER. Boîtier: SO8. 200k Baud. Constructeur: VISHAY.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SI9407BDY
SI9407BDY
3.53€ TTC
49 En stock
49 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 3.5A. Boîtier: SO-8. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 3.5A. Puissance: 3W. Résistance Rds: 0.12 Ohms.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SI9435BDY
SI9435BDY
4.70€ TTC
79 En stock
79 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 5.3A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.055 Ohms. Boîtier: SO-8.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SI9926BDY
SI9926BDY
3.98€ TTC
66 En stock
66 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal N 20V 6.2A. Puissance: 1.14W. Résistance Rds: 0.016 Ohms. Boîtier: SO-8.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SI9936BDY
SI9936BDY
5.10€ TTC
120 En stock
120 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 4.8A. Puissance: 1.1W. Rds: 0.028 Ohm. Boîtier: SO-8

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor double N-P-MOS SI9943DYT1
SI9943DYT1
57.46€ TTC
5 En stock
5 En stock

Transistor double N-P-MOS. Montage en surface (CMS). 20V 3-2.8A 2W

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SI9945AEY
SI9945AEY
3.42€ TTC
2064 En stock
2064 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 3.6A. Puissance: 2.4W. Rds<0.075 Ohm. Boîtier: SO-8

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré SIM107
SIM107
57.12€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré SIM107. CENTRAL PROC. SAMSUNG CW5029X. SAMSUNG. CW5061X. C68225Y

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré SIM135-1
SIM135-1
36.51€ TTC
20 En stock
20 En stock

Circuit intégré SIM135-1. CENTRAL PROC. SAMSUNG. Boîtier: 54p. C69605Y. CK5935. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré SIM806EW4
SIM806EW4
61.43€ TTC
4 En stock
4 En stock

Circuit intégré SIM806EW4. CENTR. PROC. Boîtier: 52p. SDA555XFL. CW28D. Constructeur: MICRONAS.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SIR474DP
SIR474DP
6.27€ TTC
89 En stock
89 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 15A/50Ap 29.8W 0.0075R (12A). Constructeur: VISHAY. Code constructeur: SiR474DP. Marquage boîtier: R474. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier: PowerPAK SO8 (6.15x5.15x1.07mm). Transistor FET: MOS. 8-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 15A. Puissance: 29.8 W. Id(T:10

 
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Tarifs dégressifs

Diode SK24A
SK24A
0.90€ TTC
122 En stock
122 En stock

Diode CMS Schottky 40V. Courant maxi: 2A. Marquage CMS: SK24A. Boîtier: SMA DO-214AC (4.6x3.83mm).

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode SK84
SK84
1.74€ TTC
24 En stock
24 En stock

Diode CMS Schottky 40V. Courant maxi: 8A. Marquage CMS: SK84. Boîtier: SMA DO-214AB.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SKM100GAL123D
SKM100GAL123D
116.90€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V 114A.658W. Vce(on): 2.3V.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SKM100GAR123D
SKM100GAR123D
112.50€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor IGBT N 600V 114A. Puissance: 658W. Vce(on): 2.3V.

 
 
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Transistor SKM400BG126D
SKM400BG126D
437.35€ TTC
9 En stock
9 En stock

2 x N-IGBT1200V 470A/600Ap. Vce(on)1.7V. Constructeur: Semikron. Code constructeur: SKM400BG126D. Implantation: perçage szerelt. Boîtier: 106.4x61.4x30.5mm. Láb szám: 7 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 1200 V. Consommation 470 A. Ic(T-100°C): 330 A. Ic(puls): 600 A. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 5 V. VGE(th)max.: 6,5 V. VCE(sat): 1,7 V. VCE(sat)ma

 
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Diode SKN130-12
SKN130-12
84.22€ TTC
14 En stock
14 En stock

Diode silicium 1200V 165A. Tension de seuil: 1.5V. Boîtier: DO-205AC.

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON